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更新时间:2026-10-14
浏览次数:12SSA‑999W φ10mm 是日本 NIKKATO(日陶)旗舰级高纯 α‑Al₂O₃研磨介质球,型号全称 SSA‑999W‑10,为 SSA 系列最高纯度规格,
专为严禁杂质污染的超细粉体球磨、分散工艺开发,广泛应用锂电、MLCC、半导体粉体、荧光粉、精细陶瓷、医药原料药等湿法 / 干法球磨场景。
依托日陶等静压成型 + 高温烧结工艺,SSA‑999W 10mm 氧化铝球兼顾超高纯度、低磨耗、高机械强度,在粉碎大颗粒进料、提升球磨冲击能量的同时,
最程度规避铁、硅、放射性元素等外来杂质污染,是粉体工艺中替代普通氧化铝球、氧化锆球的优选介质。
| 项目 | 技术指标 | 备注 |
|---|---|---|
| 型号 | SSA‑999W‑10 | 直径 φ10mm |
| 材质 | α‑Al₂O₃高纯氧化铝 | Al₂O₃≥99.9%,总杂质<100ppm |
| 体积密度 | 3.9~3.95 g/cm³ | 高密度保证研磨冲击能量传递效率 |
| 维氏硬度 HV10 | 1750~1800 HV | 莫氏硬度 9 级 |
| 抗弯强度 | 450 MPa | 抗冲击,不易崩球掉边 |
| 断裂韧性 | 3.5 MPa·√m | 抵抗裂纹扩展,降低破碎概率 |
| 空转磨耗率 | 6 ppm/h | 干式工况 |
| 湿法磨耗率 | 约 15 ppm/h | 远低于 SSA‑995、普通 92 氧化铝球 |
| 极限使用温度 | 1750℃(惰性气氛) | 高温粉体烧结 / 研磨可用 |
| 放射性管控 | U、Th 极低含量 | 适配半导体、封装粉体放射性管控要求 |
| 耐化学性 | 耐强酸、弱碱;不耐 HF、熔融浓强碱 | 环境禁止使用 |
| 包装规格 | 1kg / 包装 | 原厂标准包装 |
SSA‑999W 采用高纯 α 氧化铝原料烧结,Al₂O₃≥99.9%,杂质总量控制在 100ppm 以内。生产环节严格管控 Fe、Si、Na 等有害元素,同时对铀、
钍放射性元素做管控。研磨过程中,磨损脱落物仅为氧化铝本体,不会引入异质金属杂质,匹配电子材料、荧光材料、半导体填料对粉体纯度的严苛要求,
这也是它区别于 92%、99.5% 氧化铝球最核心优势。
莫氏硬度 9 级,仅次于金刚石,搭配 3.5MPa・√m 断裂韧性,兼顾硬度与韧性,在行星球磨机、罐磨机高速撞击下不易碎裂。空转磨耗仅 6ppm/h,
湿法磨耗约 15ppm/h;对比普通 92 氧化铝球磨耗高达 90ppm/h 级别,SSA‑999W 10mm 介质球使用寿命可达 8000 小时以上,大幅减少介质更换频次,
降低因磨屑带来的粉体品质波动,减少后期除杂工序成本。
在 SSA‑999W 系列规格中,φ10mm 属于中大号研磨球:
适合较大进料粒径物料粗粉碎 + 中细研磨;
球体重量大,冲击动能强,可高效破碎硬质地粉体(陶瓷粉、氧化物粉体);
常与 3mm、5mm、15mm 等规格搭配混装,实现多级级配,兼顾冲击破碎与剪切分散,提升粉体细度与粒径分布均匀性;
相比更大直径球,φ10mm 球填充率可控,罐内流动性更好,减少局部应力集中,降低爆球概率。
烧结成型的致密 α 氧化铝晶相,耐大多数无机酸与弱碱腐蚀。在水相、醇类、部分有机溶剂湿法研磨体系下稳定。注意:不能用于含HF、熔融浓强碱体系,
会发生腐蚀溶解,造成介质快速损耗与粉体污染。惰性气氛下最高可耐受 1750℃高温,可适配高温粉体预处理工艺。
锂电材料:正负极前驱体、磷酸铁锂、三元材料超细研磨与分散,避免金属杂质造成电池自放电风险;
MLCC 多层陶瓷电容器:钛酸钡介质粉体研磨,严控杂质,保证介电性能稳定;
半导体与封装材料:填料粉体、荧光粉、陶瓷粉体加工,低放射性满足半导体行业规范;
精细陶瓷:氧化铝、氧化锆粉体球磨,制备高性能陶瓷生坯原料;
医药与化工:原料药、高纯无机粉体的无污染粉碎。