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更新时间:2026-10-14
浏览次数:12SSA-999W 是日本 NIKKATO(日陶)旗舰级 99.9% 高纯 α- 氧化铝研磨介质,φ15mm 规格为中粗粉碎、大产能球磨工况的主力尺寸,专门面向半导体、
锂电、电子陶瓷、荧光粉等对杂质污染、放射性元素严格管控的粉体研磨与分散工艺。区别于普通 93%、99.5% 氧化铝球,SSA-999W 通过高纯粉体烧结、
精密球化工艺,将非铝杂质总量控制低水平,铀、钍放射性元素含量微量,从根源规避重金属、放射性杂质对功能粉体的污染风险。
φ15mm 球体兼顾冲击破碎能力与耐磨性,适配罐式球磨机、行星球磨机、卧式砂磨机等批量粉体制备设备。
| 项目 | 代表值 | 备注 |
|---|---|---|
| 型号 | SSA-999W | 直径 φ15mm |
| Al₂O₃纯度 | 99.9% | 杂质总含量<100ppm,严控 Fe、Si、Na、U、Th |
| 体积密度 | 3.9 g/cm³ | 致密细晶烧结体 |
| 维氏硬度 HV10 | 1750~1800 HV | 莫氏硬度 9 级 |
| 断裂韧性 | 3.5 MPa·√m | 抗冲击、不易崩边碎球 |
| 抗弯强度 | 450 MPa | |
| 干磨自磨耗率 | 6ppm/h | 低磨耗,磨屑极少 |
| 最高长期使用温度 | 1750℃ | 惰性气氛下热稳定性优异 |
| 球形度 | 圆度偏差<0.05% | 粒径一致性高,研磨出力均匀 |
| 热导率 | 37 W/m·K | 散热好,抑制局部高温 |
| 热膨胀系数 | 8×10⁻⁶ /℃ | |
| 绝缘电阻 | >10¹⁶ Ω·cm | 高绝缘特性 |
超高纯度,低放射性原料选用高纯氧化铝粉体,无助烧剂引入有害杂质;U、Th 放射性同位素含量极低,满足半导体粉体、MLCC 介质材料、
高纯陶瓷粉料的低放射性要求,避免后续元器件性能漂移、漏电风险。
细晶致密微观组织,超低磨耗采用精密固相烧结工艺,晶粒细小且分布均匀,无明显气孔。相比普通氧化铝球,球体自身磨损量极低,
研磨过程产生的磨屑极少,不会改变被研磨粉体的化学组分,保障粉体纯度稳定。
高硬度 + 良好韧性平衡9 级莫氏硬度保证对硬质粉体的破碎能力,3.5MPa・√m 断裂韧性,在中粗冲击研磨工况下,
相比高纯氧化锆球更不易出现大面积碎裂,减少碎球混入物料。
优异化学耐蚀性在酸碱环境下化学惰性强,耐大多数有机、无机溶剂腐蚀,可用于湿法研磨、溶剂体系分散,球体不溶出金属离子。
φ15mm 尺寸工艺优势φ15mm 属于中大规格研磨球,冲击动能充足,适合大块原料、粗颗粒预粉碎;相比 φ20/25mm 大球,填充排布更均匀,
可兼顾粉碎效率与出料粒度,是 “粗磨→中磨" 工序优选介质。
电子陶瓷:MLCC 钛酸钡、介电粉体、压电陶瓷粉体粗碎与中磨
锂电材料:正极前驱体、高纯氧化铝涂层原料、陶瓷隔膜粉体
半导体及精密陶瓷:氮化铝、碳化硅粉体、填料、封装粉体
荧光 / 稀土材料:稀土荧光粉、发光粉体,严控放射性杂质场景
精细化工、医药载体、催化剂粉体、高纯玻璃原料
选型区分:φ5/10mm 偏向超细研磨;φ15mm 主打中粗粉碎、大产能预磨;SSA-999S 同纯度,侧重更高强度冲击工况;SSA-995 为 99.5% 纯度,
成本更低,杂质管控要求一般场景选用。
磨机内衬选型推荐搭配高纯氧化铝内衬、聚氨酯内衬;禁止不锈钢内衬,避免铁元素交叉污染,抵消高纯球的优势。
介质填充率球磨机研磨腔填充率建议 60%~70%;湿法研磨需匹配固含量,降低球体撞击应力,减少碎球。
维护与更换标准每 100~200h 定期筛分,剔除碎球、碎屑;当球体磨损后直径较初始 15mm 缩减 10% 以上,建议补球或整批更换,维持研磨效率与纯度。
清洗更换物料前,建议使用高纯去离子水 + 超声清洗,防止不同批次物料交叉污染。
普通低纯度氧化铝球(92%~93%)成本低,但含大量硅、钙杂质,磨耗大,仅适用于普通颜料、矿石研磨;SSA-995(99.5%)为入门高纯;
SSA-999W φ15mm 属于高纯方案,核心价值在于极低杂质、低放射性,用于高附加值功能粉体,是粉体工艺中 “污染控制优先" 场景的研磨介质。