什么是DRAM？

DRAM 📔 基础知识

什么是DRAM？

DRAM是一种使用半导体元件的易失性存储器件。

它代表动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory），主要安装在计算机中。 由于内部电路结构非常简单，包含电容存储电荷和场效应晶体管（FET），适合伴随场效应半导体工艺微型化的大规模集成。然而，其单元存储容量低于SRAM等其他存储介质。

DRAM 的应用

DRAM的主要应用场景是个人电脑。 存储部分结构简单，使用电容和场效应晶体管（FET），相较于存储容量制造成本较低，适合计算机和工业机械中需要廉价且大容量存储器的控制设备。

由于DRAM通过电容器存储的电荷来存储信息，它通过写入和读取不断刷新数据以维持电量，导致高功耗，且很少用于智能手机和移动设备等小型设备。

DRAM 的原理

DRAM的原理是将大量数据作为二进制存储介质处理：当内部电路电容器中存储电荷时为1，没有时为0。 DRAM由一对称为场效应晶体管（ECT）和电容器的电路组成，这些电路内部大量分布。

写入数据时，电荷通过电容中的场效应晶体（FET）储存，电压上升至1，未存储的部分为0。 读取数据时，相关位置的电荷被释放，通过与写入方向相反，电容中存储的电荷状态被识别为0和1。 通过无数次的操作，数字数据得以存储和表达。

从该机制可见，DRAM需要电压来在电容器中储存电荷，因此只能在电流流动时保留信息。 因此，DRAM 被归类为易失性存储器。

其他DRAM 信息